Application of QMSA Method for Al0.3Ga0.7N/GaN HEMT Structure

Basit Öğe Kaydı
dc.authoridhttps://orcid.org/0000-0003-3420-4936en_US
dc.authoridhttps://orcid.org/0000-0002-5172-8283en_US
dc.authoridhttps://orcid.org/0000-0003-2287-676Xen_US
dc.authoridhttps://orcid.org/0000-0002-8508-5714en_US
dc.contributor.authorBilgili, Ahmet Kürşat
dc.contributor.authorAkpınar, Ömer
dc.contributor.authorKaya, Naki
dc.contributor.authorÖztürk, Mustafa Kemal
dc.date.accessioned2024-01-12T22:58:52Z
dc.date.available2024-01-12T22:58:52Z
dc.date.issued2023en_US
dc.departmentSağlık Hizmetleri Meslek Yüksekokuluen_US
dc.description.abstractIn this study, Al0.3Ga0.7N/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure is grown on a sapphire (Al2O3) substrate by using metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE), and its electron transport and magnetic transport properties are investigated. Resistivity is measured in the 20-350 K temperature range. Hall mobility and Hall carrier concentration are measured in the 0-1.5 T magnetic field range and the same temperature range. Magnetic transport properties are analyzed using quantitative mobility spectrum analysis (QMSA). 2DEG and 3DEG transport mechanisms are separated by using QMSA results.en_US
dc.description.abstractBu çalışmada, Al0.3Ga0.7N/GaN yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) yapısı, metal-organik buhar fazlı epitaksi (MOVPE) kullanılarak safir (Al2O3) bir alttaş üzerinde büyütülmüş, elektron taşıma ve manyetik taşıma özellikleri incelenmiştir. Özdirenç 20-350 K sıcaklık aralığında ölçülmüştür. Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı konsantrasyonu, 0- 1,5 T manyetik alan aralığında ve aynı sıcaklık aralığında ölçülmüştür. Manyetik taşıma özellikleri, kantitatif hareketlilik spektrum analizi (QMSA) kullanılarak analiz edilmiştir. 2DEG ve 3DEG taşıma mekanizmaları QMSA sonuçları ile birbirinden ayrılmıştır.en_US
dc.identifier.doi10.31466/kfbd.1276114en_US
dc.identifier.endpage1385en_US
dc.identifier.issn2564-7377
dc.identifier.issue4en_US
dc.identifier.startpage1377en_US
dc.identifier.trdizinid1212516en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11363/6946
dc.identifier.urihttps://search.trdizin.gov.tr/tr/yayin/detay/1212516
dc.identifier.urihttps://doi.org/
dc.identifier.volume13en_US
dc.indekslendigikaynakTR-Dizinen_US
dc.institutionauthorKaya, Naki
dc.language.isoenen_US
dc.publisherGiresun Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.ispartofKaradeniz Fen Bilimleri Dergisien_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectGaNen_US
dc.subjectHEMTen_US
dc.subjectAlGaNen_US
dc.subjectQMSAen_US
dc.subjectHallen_US
dc.subjectMobilityen_US
dc.subjectGaNen_US
dc.subjectHEMTen_US
dc.subjectAlGaNen_US
dc.subjectQMSAen_US
dc.subjectHallen_US
dc.subjectMobiliteen_US
dc.titleApplication of QMSA Method for Al0.3Ga0.7N/GaN HEMT Structureen_US
dc.title.alternativeAl0.3Ga0.7N/GaN HEMT Yapısı için QMSA Metodu Uygulanmasıen_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
document - 2024-01-13T013319.267.pdf
Boyut:
574.2 KB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Makale / Article
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ N/A ]
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Diğer Atıf Dizinlerdeki Yayınlar
TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu