dc.contributor.author | Bilgili, Ahmet Kürşat | |
dc.contributor.author | Akpınar, Ömer | |
dc.contributor.author | Kaya, Naki | |
dc.contributor.author | Öztürk, Mustafa Kemal | |
dc.date.accessioned | 2024-01-12T22:58:52Z | |
dc.date.available | 2024-01-12T22:58:52Z | |
dc.date.issued | 2023 | en_US |
dc.identifier.issn | 2564-7377 | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/11363/6946 | |
dc.description.abstract | In this study, Al0.3Ga0.7N/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure is grown on a sapphire (Al2O3) substrate
by using metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE), and its electron transport and magnetic transport properties are
investigated. Resistivity is measured in the 20-350 K temperature range. Hall mobility and Hall carrier concentration are
measured in the 0-1.5 T magnetic field range and the same temperature range. Magnetic transport properties are analyzed
using quantitative mobility spectrum analysis (QMSA). 2DEG and 3DEG transport mechanisms are separated by using
QMSA results. | en_US |
dc.description.abstract | Bu çalışmada, Al0.3Ga0.7N/GaN yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) yapısı, metal-organik buhar fazlı epitaksi
(MOVPE) kullanılarak safir (Al2O3) bir alttaş üzerinde büyütülmüş, elektron taşıma ve manyetik taşıma özellikleri
incelenmiştir. Özdirenç 20-350 K sıcaklık aralığında ölçülmüştür. Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı konsantrasyonu, 0-
1,5 T manyetik alan aralığında ve aynı sıcaklık aralığında ölçülmüştür. Manyetik taşıma özellikleri, kantitatif hareketlilik
spektrum analizi (QMSA) kullanılarak analiz edilmiştir. 2DEG ve 3DEG taşıma mekanizmaları QMSA sonuçları ile
birbirinden ayrılmıştır. | en_US |
dc.language.iso | eng | en_US |
dc.publisher | Giresun Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü | en_US |
dc.relation.isversionof | 10.31466/kfbd.1276114 | en_US |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
dc.subject | GaN | en_US |
dc.subject | HEMT | en_US |
dc.subject | AlGaN | en_US |
dc.subject | QMSA | en_US |
dc.subject | Hall | en_US |
dc.subject | Mobility | en_US |
dc.subject | GaN | en_US |
dc.subject | HEMT | en_US |
dc.subject | AlGaN | en_US |
dc.subject | QMSA | en_US |
dc.subject | Hall | en_US |
dc.subject | Mobilite | en_US |
dc.title | Application of QMSA Method for Al0.3Ga0.7N/GaN HEMT Structure | en_US |
dc.title.alternative | Al0.3Ga0.7N/GaN HEMT Yapısı için QMSA Metodu Uygulanması | en_US |
dc.type | article | en_US |
dc.relation.ispartof | Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi | en_US |
dc.department | Sağlık Hizmetleri Meslek Yüksekokulu | en_US |
dc.authorid | https://orcid.org/0000-0003-3420-4936 | en_US |
dc.authorid | https://orcid.org/0000-0002-5172-8283 | en_US |
dc.authorid | https://orcid.org/0000-0003-2287-676X | en_US |
dc.authorid | https://orcid.org/0000-0002-8508-5714 | en_US |
dc.identifier.volume | 13 | en_US |
dc.identifier.issue | 4 | en_US |
dc.identifier.startpage | 1377 | en_US |
dc.identifier.endpage | 1385 | en_US |
dc.relation.publicationcategory | Makale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı | en_US |
dc.contributor.institutionauthor | Kaya, Naki | |